Разлика између СРАМ-а и ДРАМ-а

• 2019

СРАМ и ДРАМ су модови РАМ-а са интегрисаним колима где СРАМ користи транзисторе и резе у конструкцији, док ДРАМ користи кондензаторе и транзисторе. Они се могу разликовати на много начина, као што је СРАМ релативно бржи од ДРАМ-а; стога се СРАМ користи за кеш меморију док се ДРАМ користи за главну меморију.

РАМ (Рандом Аццесс Мемори) је врста меморије којој је потребна стална снага да задржи податке у њој, када се прекине напајање, подаци ће бити изгубљени, зато је позната као волатиле мемори . Читање и писање у РАМ-у је једноставно и брзо и постиже се електричним сигналима.

Цомпарисон Цхарт

Основа за поређење	СРАМ	ДРАМ
Брзина	Брже	Спорији
Величина	Мала	Велика
Цост	Скупо	Јефтини
Се користи у	Кеш меморија	Основна меморија
Густина	Мање густ	Врло густа
Конструкција	Комплексан и користи транзисторе и резе.	Једноставно и користи кондензаторе и врло мало транзистора.
Потребан је један блок меморије	6 транзистора	Само један транзистор.
Имовина за цурење	Није присутан	Присутни стога захтијевају струјни круг освјежавања снаге
Потрошња струје	Лов	Високо

Дефиниција СРАМ-а

СРАМ (Статиц Рандом Аццесс Мемори) се састоји од ЦМОС технологије и користи шест транзистора. Његова конструкција се састоји од два претварача са унакрсним спрегом за складиштење података (бинарних) сличних флип-флоповима и два додатна транзистора за контролу приступа. То је релативно брже од осталих РАМ-а као што је ДРАМ. Она троши мање енергије. СРАМ може држати податке све док му се напајање допушта.

Рад СРАМ-а за појединачну ћелију:

Да би се генерисало стабилно логичко стање, четири транзистора (Т1, Т2, Т3, Т4) су организована на унакрсни начин. За генерисање логичког стања 1, чвор Ц1 је висок, а Ц2 низак; у овом стању су Т1 и Т4 искључени, а Т2 и Т3 су укључени. За логичко стање 0, спој Ц1 је низак, а Ц2 висок; у датом стању Т1 и Т4 су укључени, а Т2 и Т3 су искључени. Оба стања су стабилна док се не примени напон једносмерне струје.

СРАМ адресна линија ради за отварање и затварање прекидача и за контролу Т5 и Т6 транзистора који дозвољавају читање и писање. За операцију читања сигнал се примењује на ове адресне линије, затим Т5 и Т6 улазе, а битна вредност се чита са линије Б. За операцију писања, сигнал се користи за Б- битну линију, а његова комплемента се примењује на Б '. .

Дефиниција ДРАМ-а

ДРАМ (Динамиц Рандом Аццесс Мемори) је такође врста РАМ-а која се конструише помоћу кондензатора и неколико транзистора. Кондензатор се користи за похрањивање података гдје битна вриједност 1 означава да је кондензатор напуњен, а вриједност бита 0 значи да се кондензатор празни. Кондензатор има тенденцију пражњења, што резултира цурењем пуњења.

Динамички израз указује на то да пуњења стално цуре чак иу присуству непрекидне испоручене снаге, због чега троши више енергије. Да би се подаци задржали дуже време, потребно га је више пута освежавати, што захтева додатно освежавање кола. Због губитка пуњења ДРАМ губи податке чак и ако је напајање укључено. ДРАМ је доступан у већој количини и јефтинији је. Потребан је само један транзистор за један блок меморије.

Рад типичне ДРАМ ћелије:

У време читања и записивања вредности бита из ћелије, адресна линија је активирана. Транзистор присутан у круговима понаша се као прекидач који је затворен (дозвољавајући струју да тече) ако је напон примијењен на адресну линију и отворен (нема струјних токова) ако се напон не примијени на адресну линију. За операцију писања, напонски сигнал се користи за битну линију где високи напон показује 1, а ниски напон означава 0. Затим се користи сигнал за адресну линију која омогућава пренос наелектрисања на кондензатор.

Када је адресна линија изабрана за извршење операције читања, транзистор се укључује и напајање похрањено на кондензатору се испоручује на битну линију и на осјетилно појачало.

Сензорско појачало одређује да ли ћелија садржи логику 1 или логику 2 упоређивањем напона кондензатора са референтном вредношћу. Очитавање ћелије доводи до пражњења кондензатора, који се мора вратити да би се завршио рад. Иако је ДРАМ у основи аналогни уређај и користи се за складиштење појединачног бита (тј. 0, 1).

Кључне разлике између СРАМ-а и ДРАМ-а

1. СРАМ је меморија на чипу чије је вријеме приступа мало, док је ДРАМ меморија изван чипа која има велико вријеме приступа. Зато је СРАМ бржи од ДРАМ-а.
2. ДРАМ је доступан у већим капацитетима, док је СРАМ мањи .
3. СРАМ је скуп, док је ДРАМ јефтин .
4. Кеш меморија је апликација СРАМ-а. Насупрот томе, ДРАМ се користи у главној меморији .
5. ДРАМ је веома густ . Насупрот томе, СРАМ је рјеђи .
6. Изградња СРАМ-а је сложена због употребе великог броја транзистора. Напротив, ДРАМ је једноставан за пројектовање и имплементацију.
7. У СРАМ-у један блок меморије захтијева шест транзистора док ДРАМ треба само један транзистор за један блок меморије.
8. ДРАМ је именован као динамичан, јер користи кондензатор који производи струју цурења због диелектрика који се користи унутар кондензатора за одвајање проводних плоча није савршен изолатор, стога захтијева струју за освјежавање снаге. С друге стране, не постоји проблем цурења наплате у СРАМ-у.
9. Потрошња енергије је виша у ДРАМ-у од СРАМ-а. СРАМ ради на принципу промене правца струје кроз прекидаче, док ДРАМ ради на задржавању набоја.

Закључак

ДРАМ је потомак СРАМ-а. ДРАМ је осмишљен да превазиђе недостатке СРАМ-а; дизајнери су смањили меморијске елементе који се користе у једном биту меморије, што је значајно смањило трошкове ДРАМ-а и повећало простор за складиштење. Међутим, ДРАМ је спор и троши више енергије од СРАМ-а, потребно га је често освјежавати за неколико милисекунди да би се задржали трошкови.